Материалы по теме: HBM5E

Samsung Electronics объявила, что к сентябрю 2026 года завершит разработку DRAM по 1d нм – и это уже не просто слухи, а план, расписанный по месяцам.Тайм‑лайн разработкиВ декабре того же года компания переводит технологию в фазу подготовки к массовому производству. Строительство линий планируют начать в первой половине 2027 года, а первые серийные микросхемы появятся к концу 2028 года.Зачем нужна 1d нм DRAMНовая память станет фундаментом для HBM5E – ускорителей, которые питают современные ИИ‑модели. Чем раньше Samsung освоит базовый процесс, тем быстрее сможет выпускать более быстрые версии памяти для AI‑ускорителей.Сравнение с SK HynixSK Hynix первой в отрасли завершила 1c нм DRAM.Сейчас она находится на этапе повышения выхода годных чипов в 1d нм и планирует завершить разработку к декабрю 2026 г.Samsung стремится обойти конкурента уже на следующем шаге – 1d нм, и сделать это в более сжатые сроки. Читайте такжеSamsung Galaxy S26 взорвался в кармане владельцаКаждый второй владелец iPhone в России хочет купить AndroidСекреты Poco M8x 5G: экран на 6,9 дюйма и цена до $200

Samsung готовит DRAM 1d нм уже к сентябрю 2026