Samsung Electronics объявила, что к сентябрю 2026 года завершит разработку DRAM по 1d нм – и это уже не просто слухи, а план, расписанный по месяцам.
Тайм‑лайн разработки
В декабре того же года компания переводит технологию в фазу подготовки к массовому производству. Строительство линий планируют начать в первой половине 2027 года, а первые серийные микросхемы появятся к концу 2028 года.
Зачем нужна 1d нм DRAM
Новая память станет фундаментом для HBM5E – ускорителей, которые питают современные ИИ‑модели. Чем раньше Samsung освоит базовый процесс, тем быстрее сможет выпускать более быстрые версии памяти для AI‑ускорителей.
Сравнение с SK Hynix
- SK Hynix первой в отрасли завершила 1c нм DRAM.
- Сейчас она находится на этапе повышения выхода годных чипов в 1d нм и планирует завершить разработку к декабрю 2026 г.
- Samsung стремится обойти конкурента уже на следующем шаге – 1d нм, и сделать это в более сжатые сроки.
