Материалы по теме: HBM3E

Ответ на запреты: Китай делает свою память Американские санкции давно отрезали КНР от передовых чипов, но китайские инженеры не стали ждать милости от рынка. ChangXin Memory Technologies (CXMT) официально начала предсерийное производство памяти стандарта HBM3E. Это тот самый тип микросхем, без которого современные ускорители для искусственного интеллекта и высокопроизводительные вычислительные системы просто не работают. Если текущая отработка технологического процесса покажет стабильные результаты, переход к полноценному массовому выпуску может состояться буквально в ближайшие недели. Для отрасли это важный сигнал: Китай пытается закрыть критическую брешь в собственной технологической независимости. Что такое предсерийный этап и зачем он нужен? Слово «предсерийное» звучит скромно, но на практике это самый напряженный этап. Инженеры проверяют, насколько стабилен технологический процесс, какой процент кристаллов проходит тесты без брака и правильно ли собираются многослойные стеки памяти. Готовые изделия должны соответствовать заявленным характеристикам, иначе вся партия пойдет на переплавку. По сути, это финальный стресс-тест перед тем, как оборудование начнет работать в полную мощность. Масштабы производства растут Параллельно с запуском новых продуктов CXMT активно расширяет производственную базу. По имеющимся данным, к концу этого года совокупная мощность предприятий компании по выпуску DRAM достигнет примерно 350 тысяч кремниевых пластин в месяц. И это лишь начало: планы по дальнейшему расширению уже прописаны на последующие годы. Компания явно настроена на долгую игру и захват рыночных долей. Технические детали HBM3E Точные спецификации собственной версии HBM3E производитель пока держит в секрете. Однако можно ориентироваться на отраслевые стандарты. В типичных реализациях этого поколения используется 1024-битный интерфейс на один стек памяти. Скорость передачи данных на контакт достигает примерно 9,6 Гбит/с и выше. При такой скорости теоретическая пропускная способность одного стека составляет около 1,2 ТБ/с — это огромные объемы данных, которые процессор может обрабатывать за долю секунды. Емкость модуля зависит от двух факторов: используемых кристаллов DRAM и количества слоев в стеке. Например, если взять 24-гигабитные кристаллы и собрать из них восьмислойный стек, итоговая емкость составит 24 ГБ. Пока неясно, какие именно параметры выбрала CXMT для своего первого продукта, но сама возможность выпуска уже ставит компанию в один ряд с такими гигантами, как SK hynix, Samsung и Micron. Читайте такжеSK Hynix изучает возможность завода памяти в ЯпонииChatGPT получил плагин Apple Messages для MacОперативка подорожала в 5 раз: реальная картина 2026‑го

CXMT запустила производство HBM3E: ответ Китая на санкции