На конференции Future of Memory and Storage (FMS) 2026 компания Samsung решила показать, куда движется мысль инженеров, когда дело касается кремния для искусственного интеллекта. Набор новинок получился внушительным: тут и концептуальная память zHBM, и свежий прототип флеш-памяти зашкаливающей этажности, и обновленные планы на будущее.
Главный фокус — на zHBM
Самой интригующей штукой оказалась архитектура zHBM. В Samsung придумали ставить высокоскоростную память прямо над ИИ-ускорителем, а не традиционно рядом с ним.
Идея звучит дерзко, но расчеты компании впечатляют. По их оценкам, такая компоновка даст:
- примерно 8-кратный прирост производительности относительно HBM5;
- более чем 10-кратный рост плотности памяти;
- 3-кратное улучшение энергоэффективности;
- снижение теплового сопротивления больше чем на 50%.
Правда, в Samsung честно признаются: это пока лишь математические выкладки для концепции, а не реальные тесты готовых железок.
Больше четырехсот слоев в V-NAND
Показали и «железный» прототип — V10 Bonding V-NAND, перешагнувший отметку в 400 слоев. Здесь задействована схема Bonding Vertical (BV), когда массив ячеек и управляющую логику делают отдельно, а потом соединяют в единый чип.
Результат? Плотность хранения выросла примерно на 58% по сравнению с поколением V9 V-NAND, а скорость чтения, записи и передачи данных подтянулась вслед за ней.
Что еще попало в витрину
Помимо этого, корейский гигант засветил концепт zNAND-O для периферийных ИИ-систем, а также упомянул в планах HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM и новые корпоративные накопители PM1763 и BM1773.
Сроков появления всего этого великолепия в магазинах, цен и реальной совместимости с актуальными ускорителями нам не назвали. Так что перед нами демонстрация амбиций на перспективу, а не готовые серийные продукты.
Комментарии