Подразделение Samsung Foundry расширяет линейку 8-нанометровых технологий и представило второе поколение платформы под названием 8LPU+. Согласно техническому резюме компании, подготовленному к конференции IEDM 2026, новинка получила ряд улучшений по сравнению с предыдущим поколением 8LPU.
Новый техпроцесс обеспечивает прирост производительности на 12%, снижение энергопотребления на 15% и уменьшение площади чипа на 8%. За счет использования элементов ULL-SRAM и cHVT инженерам удалось снизить показатели утечки тока в режиме ожидания.
Ранее по теме: Samsung планирует использовать 2nm техпроцесс для модемов в будущих смартфонах.
Главной особенностью платформы стал отказ от использования EUV-литографии. Техпроцесс 8LPU+ базируется на существующих производственных линиях глубокого ультрафиолета (DUV), что позволяет снизить затраты на оборудование и ускорить запуск производства.
Платформа ориентирована на выпуск чипов для автомобильной промышленности, робототехники и систем периферийного искусственного интеллекта. По данным Samsung, технология включает встроенные плоские I/O-устройства на 3,3 В, уменьшающие площадь интерфейсов ввода-вывода примерно на 10%, а автомобильные ячейки памяти eMRAM (AG1) имеют площадь около 0,017 квадратного микрона.
Ранее по теме: Инсайдеры сообщили о возможном уменьшении объёма оперативной памяти в Samsung Galaxy S27.
Подробное выступление представителей компании в рамках мероприятия IEDM 2026 запланировано на 14 декабря.
Обсуждение в Telegram ↗